Dr. -Ing. Ivan Ndip of Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM, Berlin

Drahtbondverbindungen (Bond Wire Interconnects) sind seit fast einem halben Jahrhundert die meistverwendete
Chip-Verbindungsmethode. Der Grund dafür ist, dass sie schnelle, zuverlässige und kostengünstige
Assemblierung von Chips ermöglichen. Die parasitären Induktivitäten von Drahtbondverbindungen verursachen
jedoch Reflektionen, Dämpfung, Übersprechen, Rauschen im Spannungsversorgungssystem und andere Signalund
Powerintegritätsprobleme bei höheren Frequenzen. Um diese Probleme zu minimieren, muss zuerst das
frequenzabhängige induktive Verhalten von Drahtbondverbindungen systematisch untersucht und analysiert
werden. Dafür sind realistische Modelle notwendig. In dieser Telekonferenz werden Modelle zur Extraktion der
frequenzabhängigen Induktivitäten von Drahtbondverbindungen, unter Berücksichtigung der realistischen Form
der Drähte, präsentiert.

Biography:

Ivan Ndip hat Elektrotechnik an der TU Berlin studiert und in diesem Fach im Jahre 2006 dort auch promoviert.
Seit 2002 arbeitet er im Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration (IZM), ebenfalls Berlin, wo
er zunächst als Research Engineer im Bereich Signalintegrität, RF-Systementwurf und Antennenintegration tätig
war. Im Jahre 2005 wurde er zum Gruppenleiter für das Gebiet RF Modeling & Simulation, bevor er 2014 zum
Abteilungsleiter für den Bereich RF & Smart Sensor Systems ernannt wurde. Seit 2008 ist er parallel als
Lehrbeauftragter an der TU Berlin tätig. Dr. Ndip ist IMAPS-Fellow und Senior Member der IEEE.