BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:IEEE vTools.Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VEVENT DTSTAMP:20211217T121502Z UID:0F57737A-7CF0-4053-90FB-8F7710DE5C25 DTSTART;TZID=Etc/GMT-3:20211211T140000 DTEND;TZID=Etc/GMT-3:20211211T144000 DESCRIPTION:Invitacion\nEl capítulo conjunto Nº 3 EDS/SCC de la sección Argentina del IEEE lo invita a presenciar la charla “Desafíos de confia bilidad en dispositivos MOS y Circuitos integrados de frecuencia” por pa rte del Dr. en Ingeniería Sebastián Pazos\n\nAbstract\nEl paradigma de l a miniaturización se ha encontrado con limitaciones\, tanto económicas c omo tecnológicas\, que atentan contra la mejora sostenida del rendimiento de los circuitos electrónicos. Garantizar la confiabilidad tanto a nivel físico de la estructura de un transistor como también a nivel de su apl icación en circuitos elaborados\, es un eslabón fundamental en el proces o de maduración de las tecnologías de integración.\n\nLa charla\, discu tirá sobre la confiabilidad de dispositivos y circuitos de estado sólido \, puntualmente para aplicaciones de radiofrecuencia\, a través de dos ej es centrales del presente y futuro de la tecnología electrónica.\n\nSpea ker(s): Dr. Sebastián Pazos\, \n\nAgenda: \nPrimer Eje\n\nEl primer eje s e centra a nivel de los dispositivos\, puntualmente el estudio del fenóme no de ruptura dieléctrica y generación de defectos en estructuras Metal- Óxido-Semiconductor basadas en sustratos de alta movilidad y óxidos de a lta permitividad\, como grandes candidatos a reemplazar al silicio en apli caciones de alto rendimiento. Se recorrerán técnicas experimentales para el estudio de la degradación eléctrica acelerada de dispositivos y se c ompartirán resultados del modelado del fenómeno de ruptura y atrapamient o de carga.\n\nSegundo Eje\n\nEl segundo eje lleva el estudio de estos asp ectos a un mayor nivel de integración\, con el análisis del impacto sobr e la confiabilidad a nivel de circuitos del envejecimiento de los Transist ores de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor\, puntualmente en circu itos integrados monolíticos de radiofrecuencia. Se discutirá el impacto de los fenómenos de degradación bajo condiciones de funcionamiento en bl oques fundamentales CMOS de Radiofrecuencia\, como amplificadores de poten cia y osciladores controlados por tensión. Se expondrán herramientas nov edosas para optimizar el rendimiento de estos circuitos bajo una exploraci ón del espacio de diseño consciente de la confiabilidad\, metodologías de simulación avanzadas y arquitecturas de amplificadores de potencia de RF robustos frente al envejecimiento para aplicaciones críticas.\n\nVirtu al: https://events.vtools.ieee.org/m/291818 LOCATION:Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/291818 ORGANIZER:eds.sscs.ar@ieee.org SEQUENCE:15 SUMMARY:EDS/SSC - Desafíos de confiabilidad en dispositivos MOS y circuito s integrados de radiofrecuencia URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/291818 X-ALT-DESC:Description: <br /><p><span style="font-weight: 400\;"><span sty le="font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">Invitacion</span></span><br /><span style="font-weight: 400\;">El cap&iacute\;tulo conjunto N&ordm\; 3 EDS/SCC de la secci&oacute\;n Argentina del IEEE lo invita a presenciar la charla &ldquo\;Desaf&iacute\;os de confiabilidad en dispositivos MOS y Circuitos integrados de frecuencia&rdquo\; por parte del <strong>Dr. en In genier&iacute\;a Sebasti&aacute\;n Pazos&nbsp\;</strong></span></p>\n<p><s pan style="font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">Abstract</span><br / >El paradigma de la miniaturizaci&oacute\;n se ha encontrado con limitacio nes\, tanto econ&oacute\;micas como tecnol&oacute\;gicas\, que atentan con tra la mejora sostenida del rendimiento de los circuitos electr&oacute\;ni cos. Garantizar la confiabilidad tanto a nivel f&iacute\;sico de la estruc tura de un transistor como tambi&eacute\;n a nivel de su aplicaci&oacute\; n en circuitos elaborados\, es un eslab&oacute\;n fundamental en el proces o de maduraci&oacute\;n de las tecnolog&iacute\;as de integraci&oacute\;n. </p>\n<p>La charla\, discutir&aacute\; sobre la confiabilidad de dispositi vos y circuitos de estado s&oacute\;lido\, puntualmente para aplicaciones de radiofrecuencia\, a trav&eacute\;s de dos ejes centrales del presente y futuro de la tecnolog&iacute\;a electr&oacute\;nica.&nbsp\;</p><br /><br />Agenda: <br /><p><span style="font-weight: 400\; font-family: 'arial bla ck'\, sans-serif\;">Primer Eje</span></p>\n<p><span style="font-weight: 40 0\;">El primer eje se centra a nivel de los dispositivos\, puntualmente el estudio del fen&oacute\;meno de ruptura diel&eacute\;ctrica y generaci&oa cute\;n de defectos en estructuras Metal-&Oacute\;xido-Semiconductor basad as en sustratos de alta movilidad y &oacute\;xidos de alta permitividad\, como grandes candidatos a reemplazar al silicio en aplicaciones de alto re ndimiento. Se recorrer&aacute\;n t&eacute\;cnicas experimentales para el e studio de la degradaci&oacute\;n el&eacute\;ctrica acelerada de dispositiv os y se compartir&aacute\;n resultados del modelado del fen&oacute\;meno d e ruptura y atrapamiento de carga.</span></p>\n<p><span style="font-weight : 400\; font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">Segundo Eje</span></p>\ n<p><span style="font-weight: 400\;">El segundo eje lleva el estudio de es tos aspectos a un mayor nivel de integraci&oacute\;n\, con el an&aacute\;l isis del impacto sobre la confiabilidad a nivel de circuitos del envejecim iento de los Transistores de Efecto de Campo Metal-&Oacute\;xido-Semicondu ctor\, puntualmente en circuitos integrados monol&iacute\;ticos de radiofr ecuencia. Se discutir&aacute\; el impacto de los fen&oacute\;menos de degr adaci&oacute\;n bajo condiciones de funcionamiento en bloques fundamentale s CMOS de Radiofrecuencia\, como amplificadores de potencia y osciladores controlados por tensi&oacute\;n. Se expondr&aacute\;n herramientas novedos as para optimizar el rendimiento de estos circuitos bajo una exploraci&oac ute\;n del espacio de dise&ntilde\;o consciente de la confiabilidad\, meto dolog&iacute\;as de simulaci&oacute\;n avanzadas y arquitecturas de amplif icadores de potencia de RF robustos frente al envejecimiento para aplicaci ones cr&iacute\;ticas.</span></p> END:VEVENT END:VCALENDAR