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DESCRIPTION:Fecha y horario Actualizada\n\nInvitation\nEl IEEE Joint chapte
 r Nº 3 (EDS/SCC) de la sección Argentina lo invita a la conferencia “P
 roceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de Hf
 O2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados” dic
 tada por el distinguido conferencista del IEEE Dr. Félix Palumbo.\n\nAbst
 racto\n\nEn este artículo\, analizamos la dependencia de la pendiente de 
 Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSC
 AP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialmente por exper
 imentos de irradiación de microhaz cuidadosamente ajustados con diferente
 s dosis de carbono.\n\nLa tendencia experimental consistente de reducir β
  con el aumento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simul
 aciones de descomposición basadas en la física que consideraron la gener
 ación de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de daños localiz
 ados (trayectorias de percolación parcial) creados por los iones que choc
 an. Los escenarios de distribución de defectos inicial espacialmente alea
 toria y generación de defectos inducida por estrés aleatorio (en espacio
  y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales\, lo que con
 firma que la generación de defectos correlacionados existe en HfO2\, lo q
 ue altera bastante la comprensión convencional de TDDB.\n\nSpeaker(s): Dr
 . Felix Palumbo\, \n\nVirtual: https://events.vtools.ieee.org/m/339344
LOCATION:Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/339344
ORGANIZER:eds.sscs.ar@ieee.org
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SUMMARY:EDS/SSC - Proceso de generación de defectos espacio-temporales en 
 pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no corr
 elacionados
URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/339344
X-ALT-DESC:Description: <br /><p><span style="font-weight: 400\; color: #e0
 3e2d\; font-size: 14pt\;"><span style="font-family: 'arial black'\, sans-s
 erif\;">Fecha y horario Actualizada</span></span></p>\n<p><span style="fon
 t-weight: 400\;"><span style="font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">I
 nvitation</span></span><br />El IEEE Joint chapter N&ordm\; 3 (EDS/SCC) de
  la secci&oacute\;n Argentina lo invita a la conferencia &ldquo\;Proceso d
 e generaci&oacute\;n de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO
 2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados&rdquo\;
  dictada por el distinguido conferencista del IEEE<strong> Dr. F&eacute\;l
 ix Palumbo.</strong></p>\n<p><span style="font-family: 'arial black'\, san
 s-serif\;">Abstracto</span></p>\n<p>En este art&iacute\;culo\, analizamos 
 la dependencia de la pendiente de Weibull (&beta\;) extra&iacute\;da de la
 s pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial d
 e defectos inducidos artificialmente por experimentos de irradiaci&oacute\
 ;n de microhaz cuidadosamente ajustados con diferentes dosis de carbono.</
 p>\n<p>La tendencia experimental consistente de reducir &beta\; con el aum
 ento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simulaciones de 
 descomposici&oacute\;n basadas en la f&iacute\;sica que consideraron la ge
 neraci&oacute\;n de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de da&n
 tilde\;os localizados (trayectorias de percolaci&oacute\;n parcial) creado
 s por los iones que chocan. Los escenarios de distribuci&oacute\;n de defe
 ctos inicial espacialmente aleatoria y generaci&oacute\;n de defectos indu
 cida por estr&eacute\;s aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explic
 ar las tendencias experimentales\, lo que confirma que la generaci&oacute\
 ;n de defectos correlacionados existe en HfO2\, lo que altera bastante la 
 comprensi&oacute\;n convencional de TDDB.</p>
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