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DESCRIPTION:Invitation\nEl IEEE Joint chapter Nº 3 (EDS/SCC) de la secció
 n Argentina lo invita a la conferencia “Proceso de generación de defect
 os espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos corre
 lacionados versus no correlacionados” dictada por el distinguido confere
 ncista del EDS IEEE Dr. Félix Palumbo.\n\nCabe aclara que la charla es sp
 onsoreada bajo el programa de conferencistas distingidos del IEEE Electron
  Devices Society.\n\nAbstracto\n\nEn este artículo\, analizamos la depend
 encia de la pendiente de Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en con
 densadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos 
 artificialmente por experimentos de irradiación de microhaz cuidadosament
 e ajustados con diferentes dosis de carbono.\n\nLa tendencia experimental 
 consistente de reducir β con el aumento de la densidad de defectos fue re
 producible solo con simulaciones de descomposición basadas en la física 
 que consideraron la generación de defectos correlacionados en HfO2 y los 
 rastros de daños localizados (trayectorias de percolación parcial) cread
 os por los iones que chocan. Los escenarios de distribución de defectos i
 nicial espacialmente aleatoria y generación de defectos inducida por estr
 és aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias ex
 perimentales\, lo que confirma que la generación de defectos correlaciona
 dos existe en HfO2\, lo que altera bastante la comprensión convencional d
 e TDDB.\n\nSpeaker(s): Dr. Felix Palumbo\, \n\nVirtual: https://events.vto
 ols.ieee.org/m/377609
LOCATION:Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/377609
ORGANIZER:eds.sscs.ar@ieee.org
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SUMMARY:EDS/SSC DLL - 2023 - Proceso de generación de defectos espacio-tem
 porales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados ver
 sus no correlacionados
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X-ALT-DESC:Description: <br /><p><span style="font-weight: 400\;"><span sty
 le="font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">Invitation</span></span><br
  />El IEEE Joint chapter N&ordm\; 3 (EDS/SCC) de la secci&oacute\;n Argent
 ina lo invita a la conferencia &ldquo\;Proceso de generaci&oacute\;n de de
 fectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos c
 orrelacionados versus no correlacionados&rdquo\; dictada por el distinguid
 o conferencista del EDS IEEE<strong> Dr. F&eacute\;lix Palumbo.</strong></
 p>\n<p>Cabe aclara que la charla es sponsoreada bajo el programa de confer
 encistas distingidos del&nbsp\; IEEE Electron Devices Society.</p>\n<p><sp
 an style="font-family: 'arial black'\, sans-serif\;">Abstracto</span></p>\
 n<p>En este art&iacute\;culo\, analizamos la dependencia de la pendiente d
 e Weibull (&beta\;) extra&iacute\;da de las pruebas TDDB en condensadores 
 HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialm
 ente por experimentos de irradiaci&oacute\;n de microhaz cuidadosamente aj
 ustados con diferentes dosis de carbono.</p>\n<p>La tendencia experimental
  consistente de reducir &beta\; con el aumento de la densidad de defectos 
 fue reproducible solo con simulaciones de descomposici&oacute\;n basadas e
 n la f&iacute\;sica que consideraron la generaci&oacute\;n de defectos cor
 relacionados en HfO2 y los rastros de da&ntilde\;os localizados (trayector
 ias de percolaci&oacute\;n parcial) creados por los iones que chocan. Los 
 escenarios de distribuci&oacute\;n de defectos inicial espacialmente aleat
 oria y generaci&oacute\;n de defectos inducida por estr&eacute\;s aleatori
 o (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales
 \, lo que confirma que la generaci&oacute\;n de defectos correlacionados e
 xiste en HfO2\, lo que altera bastante la comprensi&oacute\;n convencional
  de TDDB.</p>
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