BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:IEEE vTools.Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:Asia/Tokyo BEGIN:STANDARD DTSTART:19510909T000000 TZOFFSETFROM:+1000 TZOFFSETTO:+0900 TZNAME:JST END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT DTSTAMP:20240509T035137Z UID:4F8379CF-40A2-4272-B5A1-D01D006F4E49 DTSTART;TZID=Asia/Tokyo:20240409T100000 DTEND;TZID=Asia/Tokyo:20240409T120000 DESCRIPTION:ソースゲートトランジスタ（SGT）は比較的長い 歴史を持っていますが、最近になって主流の技術によ り、大規模に効果的に実装できるようになりました。 この講演は、先進的な薄膜トランジスタを用いた効率 的なアナログおよび混合信号設計に関心のある方々に 向けられています。SGTは、センサーデータのエッジ処 理、信号調整、電流モード駆動に向けた将来のアプリ ケーションへの発展的進行を提供します。重要なこと に、この概念は実際にはどんな材料システムにも適用 できます。したがって、この講演では、接触効果のエ ンジニアリングとモデリングの基本、成功するSGT実装 のための設計ルール、薄膜シリコン、有機、酸化物半 導体での性能最適化の特徴、そして追加機能のための 構造進化について紹介します。最後に、接触制御薄膜 トランジスタの進化の次のステップであるマルチモー ダルトランジスタ（MMT）が簡単に紹介されます。\n\nSour ce-gated transistors (SGTs) have a relatively long history of development but only recently have mainstream technologies allowed for their effective implementation at scale. This talk is addressed to those interested in ef ficient analog and mixed signal design with advanced thin-film transistors . They provide a development progression with a forward look toward SGT ap plication to future edge processing of sensor data\, signal conditioning\, and current-mode driving. Crucially\, the concept can be applied in pract ically any material system. As such\, the talk will present the fundamenta ls of contact effect engineering and modelling\, design rules for successf ul SGT implementation\, specifics of performance optimisation in thin-film silicon\, organic\, and oxide semiconductors\, and structural evolutions for additional functionality. Finally\, the next step in the evolution of contact-controlled thin-film transistor\, the multimodal transistor (MMT) will be briefly introduced.\n\nCo-sponsored by: IEEE EDS Kansai Chapter\n\ nSpeaker(s): Radu A. Sporea\, \n\nAgenda: \n2024年4月9日（火）　10 ：00-12：00　\n\n場所：奈良先端科学技術大学院大学\n\n 物質創成科学領域　F509\n\nハイブリッド開催　\n\nRoom: F5 09\, NAIST (Nara Institute of Science and Technology)\, Takayama-cho\, Iko ma\, Nara\, Nara\, Japan\, 630-0192\, Virtual: https://events.vtools.ieee .org/m/407801 LOCATION:Room: F509\, NAIST (Nara Institute of Science and Technology)\, Ta kayama-cho\, Ikoma\, Nara\, Nara\, Japan\, 630-0192\, Virtual: https://ev ents.vtools.ieee.org/m/407801 ORGANIZER:uraoka@ms.naist.jp SEQUENCE:26 SUMMARY:IEEE EDS Kansai DL -Key considerations for obtaining high performan ce contact-controlled devices- (IEEE DL\, IEEE EDS Kansai Chapter) URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/407801 X-ALT-DESC:Description: <br /><p>ソースゲートトランジスタ（SGT ）は比較的長い歴史を持っていますが、最近になって 主流の技術により、大規模に効果的に実装できるよう になりました。この講演は、先進的な薄膜トランジス タを用いた効率的なアナログおよび混合信号設計に関 心のある方々に向けられています。SGTは、センサーデ ータのエッジ処理、信号調整、電流モード駆動に向け た将来のアプリケーションへの発展的進行を提供しま す。重要なことに、この概念は実際にはどんな材料シ ステムにも適用できます。したがって、この講演では 、接触効果のエンジニアリングとモデリングの基本、 成功するSGT実装のための設計ルール、薄膜シリコン、 有機、酸化物半導体での性能最適化の特徴、そして追 加機能のための構造進化について紹介します。最後に 、接触制御薄膜トランジスタの進化の次のステップで あるマルチモーダルトランジスタ（MMT）が簡単に紹介 されます。</p>\n<p>Source-gated transistors (SGTs) have a relatively long history of development but only recently have mainstream technologies allowed for their effective implementation at scale. This talk is address ed to those interested in efficient analog and mixed signal design with ad vanced thin-film transistors. They provide a development progression with a forward look toward SGT application to future edge processing of sensor data\, signal conditioning\, and current-mode driving. Crucially\, the con cept can be applied in practically any material system. As such\, the talk will present the fundamentals of contact effect engineering and modelling \, design rules for successful SGT implementation\, specifics of performan ce optimisation in thin-film silicon\, organic\, and oxide semiconductors\ , and structural evolutions for additional functionality. Finally\, the ne xt step in the evolution of contact-controlled thin-film transistor\, the multimodal transistor (MMT) will be briefly introduced.</p><br /><br />Age nda: <br /><p>2024年4月9日（火）　10：00-12：00　</p>\n<p>場所 ：奈良先端科学技術大学院大学</p>\n<p>物質創成科学領 域　F509</p>\n<p>ハイブリッド開催　</p> END:VEVENT END:VCALENDAR