BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:IEEE vTools.Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:America/Mexico_City BEGIN:STANDARD DTSTART:20221030T010000 TZOFFSETFROM:-0500 TZOFFSETTO:-0600 TZNAME:CST END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT DTSTAMP:20240529T154310Z UID:9B5B1F49-E5A1-4B6A-A6FE-125A84ADBC09 DTSTART;TZID=America/Mexico_City:20240307T160000 DTEND;TZID=America/Mexico_City:20240307T180000 DESCRIPTION:El desarrollo de dispositivos electrónicos\, en ocasiones\, re quiere de competencias técnicas y teóricas que no todos los laboratorios poseen. En esos casos algunas empresas recurren a los servicios de labora torios y/o consultores especializados. En ocasiones la complejidad es tal que empresas pueden unir sus competencias para tratar de resolver un probl ema. Tal es el caso del transistor bipolar n-GaInP/p-GaAs(C)/n GaAs(Si)/Ga As\, que en esta plática se toma como ejemplo. Empresas europeas (Thales\ , UMS\, IQE)\, cada una por su lado\, encontraron dificultades para desarr ollar este transistor mismo que maneja: densidades de corriente de hasta ~ 120 KA/cm² y frecuencias cercanas a los 20 GHz. Transistores utilizados e n aplicaciones de alta frecuencia\, circuitos de gran ancho de banda y pot encia. Dos investigadores de compañías diferentes interesados en el desa rrollo del transistor encontraron que dado la complejidad del problema era necesario un apoyo europeo y presentaron un proyecto ante la unión europ ea\, el cual fue aprobado (~8x106 Euros). En este seminario\, el responsab le de un segmento del proyecto presentará en detalle\, cómo se estructur ó: determinación de participantes\, forma de operar y resultados princip ales que condujeron a un dispositivo que constituye hasta hoy el estado de l arte. Lo anterior con el propósito de difundir otra forma de hacer inve stigación y desarrollo en el campo de los dispositivos semiconductores\, marcadamente diferente a la practicada en México\n\nCo-sponsored by: Sect ion of Solid-State Electronics (SEES)\, CINVESTAV-IPN.\n\nSpeaker(s): PhD. Jaime Mimila\, \n\nAgenda: \nSchedule Thursday 7th—CINVESTAV-IPN CDMX\, Mexico Speaker\n\n16:00 - 16:10 Presentation of PhD. Jaime Mimila Arroyo M.C. Jose Josue Rodriguez Pizano\n\n16:10 - 18:00 DESARROLLO DE DISPOSITIV OS ELECTRONICOS EN LA UNIÓN EUROPEA PhD. Jaime Mimila Arroyo\n\nBldg: Se cción de Electrónica del Estado Solido Aula: bunker\, Av Instituto Polit écnico Nacional 2508\, San Pedro Zacatenco\, Gustavo A. Madero\, Ciudad d e México\, CDMX\, Ciudad de México\, Distrito Federal\, Mexico\, 07360\, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/409240 LOCATION:Bldg: Sección de Electrónica del Estado Solido Aula: bunker\, Av Instituto Politécnico Nacional 2508\, San Pedro Zacatenco\, Gustavo A. M adero\, Ciudad de México\, CDMX\, Ciudad de México\, Distrito Federal\, Mexico\, 07360\, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/409240 ORGANIZER:abril.garcia.soriano@cinvestav.mx SEQUENCE:28 SUMMARY:DESARROLLO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EN LA UNIÓN EUROPEA URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/409240 X-ALT-DESC:Description: <br /><p>El desarrollo de dispositivos electr&oacut e\;nicos\, en ocasiones\, requiere de competencias t&eacute\;cnicas y te&o acute\;ricas que no todos los laboratorios poseen. En esos casos algunas e mpresas recurren a los servicios de laboratorios y/o consultores especiali zados. En ocasiones la complejidad es tal que empresas pueden unir sus com petencias para tratar de resolver un problema. Tal es el caso del transist or bipolar n-GaInP/p-GaAs(C)/n GaAs(Si)/GaAs\, que en esta pl&aacute\;tica se toma como ejemplo. Empresas europeas (Thales\, UMS\, IQE)\, cada una p or su lado\, encontraron dificultades para desarrollar este transistor mis mo que maneja: densidades de corriente de hasta ~120 KA/cm&sup2\; y frecue ncias cercanas a los 20 GHz. Transistores utilizados en aplicaciones de al ta frecuencia\, circuitos de gran ancho de banda y potencia. Dos investiga dores de compa&ntilde\;&iacute\;as diferentes interesados en el desarrollo del transistor encontraron que dado la complejidad del problema era neces ario un apoyo europeo y presentaron un proyecto ante la uni&oacute\;n euro pea\, el cual fue aprobado (~8x10<sup>6 </sup>Euros). En este seminario\, el responsable de un segmento del proyecto presentar&aacute\; en detalle\, c&oacute\;mo se estructur&oacute\;: determinaci&oacute\;n de participante s\, forma de operar y resultados principales que condujeron a un dispositi vo que constituye hasta hoy el estado del arte. Lo anterior con el prop&oa cute\;sito de difundir otra forma de hacer investigaci&oacute\;n y desarro llo en el campo de los dispositivos semiconductores\, marcadamente diferen te a la practicada en M&eacute\;xico</p><br /><br />Agenda: <br /><p><stro ng>Schedule &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; Thursday&nbsp\; 7th&md ash\;CINVESTAV-IPN CDMX\, Mexico&nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &n bsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbs p\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\ ; &nbsp\; Speaker</strong></p>\n<p>16:00 - 16:10&nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; Pr esentation of PhD. Jaime Mimila Arroyo&nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbs p\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\ ; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\; &nbsp\;M.C. 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