BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:IEEE vTools.Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:America/New_York BEGIN:DAYLIGHT DTSTART:20240310T030000 TZOFFSETFROM:-0500 TZOFFSETTO:-0400 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=2SU;BYMONTH=3 TZNAME:EDT END:DAYLIGHT BEGIN:STANDARD DTSTART:20241103T010000 TZOFFSETFROM:-0400 TZOFFSETTO:-0500 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=1SU;BYMONTH=11 TZNAME:EST END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT DTSTAMP:20240427T033712Z UID:487F96D9-15A5-43D8-AA62-F58CBC5467E9 DTSTART;TZID=America/New_York:20240423T130000 DTEND;TZID=America/New_York:20240423T140000 DESCRIPTION:Spin Polarized Transport in Monolayer WSe2 Quantum Structures\n \nAbstract: Monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs)\, a semicond ucting member of the two-dimensional material family\, have been suggested to be promising candidates for various quantum applications. However\, ch allenges associated with the quality of electrical contacts in TMDs have h ampered the progress of transport studies\, especially at low temperature and in the low carrier density regime.\n\nIn this talk\, a device structur e is presented which allows us to obtain low resistance ohmic contacts to monolayer TMDs while still accessing the low carrier density regime in tra nsport experiments. The low-temperature magneto-transport measurements res ulting from this fabricated device is presented and the unexpected spin po larized states are discussed.\n\n----------------------------------------- -------------------------------\n\nTransport polarisé de spin dans les st ructures quantiques monocouches WSe2\n\nRésumé : Il a été suggéré qu e les dichalcogénures de métaux de transition (TMD) monocouches\, un mem bre semi-conducteur de la famille des matériaux bidimensionnels\, seraien t des candidats prometteurs pour diverses applications quantiques. Cependa nt\, les défis associés à la qualité des contacts électriques dans le s TMD ont entravé la progression des études de transport\, en particulie r à basse température et dans le régime de faible densité de porteurs. \n\nDans cet exposé\, une structure de dispositif est présentée qui nou s permet d'obtenir des contacts ohmiques à faible résistance avec des TM D monocouches tout en accédant au régime de faible densité de porteurs dans les expériences de transport. Les mesures de magnéto-transport à b asse température résultant de ce dispositif fabriqué sont présentées et les états polarisés en spin inattendus sont discutés.\n\n[]\n\nAbout / A propos\n\nThe High Throughput and Secure Networks (HTSN) Challenge pr ogram is hosting regular virtual seminar series to promote scientific info rmation sharing\, discussions\, and interactions between researchers.\n\nh ttps://nrc.canada.ca/en/research-development/research-collaboration/progra ms/high-throughput-secure-networks-challenge-program\n\nLe programme Rése aux Sécurisés à Haut Débit (RSHD) organise régulièrement des séries de séminaires virtuels pour promouvoir le partage d’informations scien tifiques\, les discussions et les interactions entre chercheurs.\n\nhttps: //nrc.canada.ca/fr/recherche-developpement/recherche-collaboration/program mes/programme-defi-reseaux-securises-haut-debit\n\nCo-sponsored by: Nation al Research Council\, Canada. Optonique.\n\nSpeaker(s): Justin Boddison-Ch ouinard\, \n\nVirtual: https://events.vtools.ieee.org/m/417651 LOCATION:Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/417651 ORGANIZER:Alex.Poungoue@ieee.org SEQUENCE:15 SUMMARY:Spin Polarized Transport in Monolayer WSe2 Quantum Structures URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/417651 X-ALT-DESC:Description: <br /><p><em><strong>Spin Polarized Transport in Mo nolayer WSe<sub>2</sub> Quantum Structures</strong></em></p>\n<p class="Ms oNormal"><strong>Abstract</strong>: Monolayer transition metal dichalcogen ides (TMDs)\, a semiconducting member of the two-dimensional material fami ly\, have been suggested to be promising candidates for various quantum ap plications. However\, challenges associated with the quality of electrical contacts in TMDs have hampered the progress of transport studies\, especi ally at low temperature and in the low carrier density regime.</p>\n<p cla ss="MsoNormal">In this talk\, a device structure is presented which allows us to obtain low resistance ohmic contacts to monolayer TMDs while still accessing the low carrier density regime in transport experiments. The low -temperature magneto-transport measurements resulting from this fabricated device is presented and the unexpected spin polarized states are discusse d.</p>\n<p>--------------------------------------------------------------- ---------</p>\n<p><strong>Transport polaris&eacute\; de spin dans les stru ctures quantiques monocouches WSe<sub>2</sub></strong></p>\n<p class="MsoN ormal"><strong><span lang="FR-CA">R&eacute\;sum&eacute\; :&nbsp\;</span></ strong><span lang="FR-CA">Il a &eacute\;t&eacute\; sugg&eacute\;r&eacute\; que les dichalcog&eacute\;nures de m&eacute\;taux de transition (TMD) mon ocouches\, un membre semi-conducteur de la famille des mat&eacute\;riaux b idimensionnels\, seraient des candidats prometteurs pour diverses applicat ions quantiques. Cependant\, les d&eacute\;fis associ&eacute\;s &agrave\; la qualit&eacute\; des contacts &eacute\;lectriques dans les TMD ont entra v&eacute\; la progression des &eacute\;tudes de transport\, en particulier &agrave\; basse temp&eacute\;rature et dans le r&eacute\;gime de faible d ensit&eacute\; de porteurs.</span></p>\n<p class="MsoNormal"><span lang="F R-CA">Dans cet expos&eacute\;\, une structure de dispositif est pr&eacute\ ;sent&eacute\;e qui nous permet d'obtenir des contacts ohmiques &agrave\; faible r&eacute\;sistance avec des TMD monocouches tout en acc&eacute\;dan t au r&eacute\;gime de faible densit&eacute\; de porteurs dans les exp&eac ute\;riences de transport. Les mesures de magn&eacute\;to-transport &agrav e\; basse temp&eacute\;rature r&eacute\;sultant de ce dispositif fabriqu&e acute\; sont pr&eacute\;sent&eacute\;es et les &eacute\;tats polaris&eacut e\;s en spin inattendus sont discut&eacute\;s.</span></p>\n<p class="MsoNo rmal"><em><strong><img src="https://events.vtools.ieee.org/vtools_ui/media /display/7756a05f-3817-4e6d-b179-80a69cb863ed" alt="" width="284" height=" 312"></strong></em></p>\n<p><span style="text-decoration: underline\;">Abo ut / A propos</span></p>\n<p class="MsoNormal">The High Throughput and Sec ure Networks (HTSN) Challenge program is hosting regular virtual seminar s eries to promote scientific information sharing\, discussions\, and intera ctions between researchers.</p>\n<p class="MsoNormal"><a href="https://nrc .canada.ca/en/research-development/research-collaboration/programs/high-th roughput-secure-networks-challenge-program" target="_blank" rel="noopener" data-saferedirecturl="https://www.google.com/url?q=https://nrc.canada.ca/ en/research-development/research-collaboration/programs/high-throughput-se cure-networks-challenge-program&amp\;source=gmail&amp\;ust=171339414417300 0&amp\;usg=AOvVaw0_8QbykLz9Re5X1_2IHmq0">https://nrc.canada.ca/en/<wbr>res earch-development/research-<wbr>collaboration/programs/high-<wbr>throughpu t-secure-networks-<wbr>challenge-program</a></p>\n<p class="MsoNormal"><sp an lang="FR-CA">Le programme R&eacute\;seaux S&eacute\;curis&eacute\;s &ag rave\; Haut D&eacute\;bit (RSHD) organise r&eacute\;guli&egrave\;rement de s s&eacute\;ries de s&eacute\;minaires virtuels pour promouvoir le partage d&rsquo\;informations scientifiques\, les discussions et les interactions entre chercheurs.</span></p>\n<p class="MsoNormal"><a href="https://nrc.c anada.ca/fr/recherche-developpement/recherche-collaboration/programmes/pro gramme-defi-reseaux-securises-haut-debit" target="_blank" rel="noopener" d ata-saferedirecturl="https://www.google.com/url?q=https://nrc.canada.ca/fr /recherche-developpement/recherche-collaboration/programmes/programme-defi -reseaux-securises-haut-debit&amp\;source=gmail&amp\;ust=1713394144173000& amp\;usg=AOvVaw0Ies0mh4WxAKRzTt1hXzTr"><span lang="FR-CA">https://nrc.cana da.ca/fr/<wbr>recherche-developpement/<wbr>recherche-collaboration/<wbr>pr ogrammes/programme-defi-<wbr>reseaux-securises-haut-debit</span></a></p> END:VEVENT END:VCALENDAR