BEGIN:VCALENDAR VERSION:2.0 PRODID:IEEE vTools.Events//EN CALSCALE:GREGORIAN BEGIN:VTIMEZONE TZID:America/New_York BEGIN:DAYLIGHT DTSTART:20240310T030000 TZOFFSETFROM:-0500 TZOFFSETTO:-0400 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=2SU;BYMONTH=3 TZNAME:EDT END:DAYLIGHT BEGIN:STANDARD DTSTART:20241103T010000 TZOFFSETFROM:-0400 TZOFFSETTO:-0500 RRULE:FREQ=YEARLY;BYDAY=1SU;BYMONTH=11 TZNAME:EST END:STANDARD END:VTIMEZONE BEGIN:VEVENT DTSTAMP:20240517T164149Z UID:83C11947-17CA-4108-A96F-26D337A3F37F DTSTART;TZID=America/New_York:20240516T130000 DTEND;TZID=America/New_York:20240516T140000 DESCRIPTION:A Strategic Si3N4 materials platform for Integrated Quantum and Nano Technologies (Made in Canada!)\n\nAbstract: Silicon nitride has rece ntly gained a lot of interest within the photonic device community\, becau se of its unique properties\, as an attractive materials platform of choic e for a wide range of applications including sensing\, metrology\, nonline ar optics\, quantum information processing and telecommunications. We repo rt on an optimization procedure for depositing low-loss silicon nitride fi lms at temperatures of 760˚C and 820˚C using low-pressure chemical vapor deposition. They were characterized in terms of quality and compositional proximity to stoichiometric silicon nitride. Films deposited at 760˚C sh owed a higher stoichiometry\, with a silicon-to-nitrogen ratio of 0.744\, when compared to the 820˚C film\, which had a ratio of 0.77. We found the film deposited at the lower temperature had a smoother surface and exhibi ted lower optical losses. We investigated the impact of film stress on the refractive index of the film and found that removing the backside nitride from the wafer after deposition has a major effect on refractive index va lues. When using these films for integrated nonlinear and quantum applicat ions\, such as frequency conversion or soliton generation\, knowledge of h ow the index changes with wafer and fabrication processing is critical for predicting the correct geometries\, and the concomitant group velocities\ , needed to realize such quantum technologies. The measured losses from fa bricated devices showed that our nitride material is comparable to the lea ding foundries if not better than them regarding the film quality and loss es.\n\n------------------------------------------------------------------- -----\n\nUne plateforme stratégique de matériaux Si3N4 pour les technolo gies quantiques et nano intégrées (fabriquée au Canada !)\n\nRésumé : Le nitrure de silicium a récemment suscité beaucoup d'intérêt au sein de la communauté des dispositifs photoniques\, en raison de ses proprié tés uniques\, en tant que plate-forme matérielle attrayante de choix pou r un large éventail d'applications\, notamment la détection\, la métrol ogie\, l'optique non linéaire\, le traitement de l'information quantique et les télécommunications. Nous rapportons une procédure d'optimisation pour le dépôt de films de nitrure de silicium à faibles pertes à des températures de 760 °C et 820 °C par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. Ils ont été caractérisés en termes de qualité et d e proximité de composition avec le nitrure de silicium stœchiométrique. Les films déposés à 760 °C présentaient une stœchiométrie plus él evée\, avec un rapport silicium/azote de 0\,744\, par rapport au film à 820 °C\, qui présentait un rapport de 0\,77. Nous avons constaté que le film déposé à la température la plus basse avait une surface plus lis se et présentait des pertes optiques plus faibles. Nous avons étudié l' impact de la contrainte du film sur l'indice de réfraction du film et avo ns constaté que le retrait du nitrure arrière de la tranche après le d épôt avait un effet majeur sur les valeurs de l'indice de réfraction. L ors de l'utilisation de ces films pour des applications non linéaires et quantiques intégrées\, telles que la conversion de fréquence ou la gén ération de solitons\, la connaissance de la façon dont l'indice change a vec le traitement de la plaquette et de la fabrication est essentielle pou r prédire les géométries correctes et les vitesses de groupe concomitan tes\, nécessaires à la réalisation de telles technologies quantiques. L es pertes mesurées des appareils fabriqués ont montré que notre matéri au nitrure est comparable aux principales fonderies\, voire meilleur\, en termes de qualité du film et de pertes.\n\n[]\n\nAbout / A propos\n\nThe High Throughput and Secure Networks (HTSN) Challenge program is hosting re gular virtual seminar series to promote scientific information sharing\, d iscussions\, and interactions between researchers.\n\nhttps://nrc.canada.c a/en/research-development/research-collaboration/programs/high-throughput- secure-networks-challenge-program\n\nLe programme Réseaux Sécurisés à Haut Débit (RSHD) organise régulièrement des séries de séminaires vir tuels pour promouvoir le partage d’informations scientifiques\, les disc ussions et les interactions entre chercheurs.\n\nhttps://nrc.canada.ca/fr/ recherche-developpement/recherche-collaboration/programmes/programme-defi- reseaux-securises-haut-debit\n\nCo-sponsored by: National Research Council \, Canada. Optonique.\n\nSpeaker(s): Abubaker Mustafa Tareki\, \n\nVirtual : https://events.vtools.ieee.org/m/419574 LOCATION:Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/419574 ORGANIZER:Alex.Poungoue@ieee.org SEQUENCE:32 SUMMARY:A Strategic Si3N4 materials platform for Integrated Quantum and Nan o Technologies (Made in Canada!) URL;VALUE=URI:https://events.vtools.ieee.org/m/419574 X-ALT-DESC:Description: <br /><p><span style="color: rgb(0\, 0\, 0)\;"><em> <strong><u>A Strategic Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> materials platform for Integrated Quantum and Nano Technologies (Made in Canada!)</u></strong></e m></span></p>\n<p class="MsoNormal"><strong>Abstract</strong>: Silicon nit ride has recently gained a lot of interest within the photonic device comm unity\, because of its unique properties\, as an attractive materials plat form of choice for a wide range of applications including sensing\, metrol ogy\, nonlinear optics\, quantum information processing and telecommunicat ions. We report on an optimization procedure for depositing low-loss silic on nitride films at temperatures of 760˚C and 820˚C using low-pressure c hemical vapor deposition. They were characterized in terms of quality and compositional proximity to stoichiometric silicon nitride. Films deposited at 760˚C showed a higher stoichiometry\, with a silicon-to-nitrogen rati o of 0.744\, when compared to the 820˚C film\, which had a ratio of 0.77. We found the film deposited at the lower temperature had a smoother surfa ce and exhibited lower optical losses. We investigated the impact of film stress on the refractive index of the film and found that removing the bac kside nitride from the wafer after deposition has a major effect on refrac tive index values. When using these films for integrated nonlinear and qua ntum applications\, such as frequency conversion or soliton generation\, k nowledge of how the index changes with wafer and fabrication processing is critical for predicting the correct geometries\, and the concomitant grou p velocities\, needed to realize such quantum technologies. The measured l osses from fabricated devices showed that our nitride material is comparab le to the leading foundries if not better than them regarding the film qua lity and losses.</p>\n<p>------------------------------------------------- -----------------------</p>\n<p><strong>Une plateforme strat&eacute\;gique de mat&eacute\;riaux Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>&nbsp\;pour les technolog ies quantiques et nano int&eacute\;gr&eacute\;es (fabriqu&eacute\;e au Can ada !)</strong></p>\n<p class="MsoNormal"><strong><span lang="FR-CA">R&eac ute\;sum&eacute\; : </span></strong><span lang="FR-CA">Le nitrure de silic ium a r&eacute\;cemment suscit&eacute\; beaucoup d'int&eacute\;r&ecirc\;t au sein de la communaut&eacute\; des dispositifs photoniques\, en raison d e ses propri&eacute\;t&eacute\;s uniques\, en tant que plate-forme mat&eac ute\;rielle attrayante de choix pour un large &eacute\;ventail d'applicati ons\, notamment la d&eacute\;tection\, la m&eacute\;trologie\, l'optique n on lin&eacute\;aire\, le traitement de l'information quantique et les t&ea cute\;l&eacute\;communications. Nous rapportons une proc&eacute\;dure d'op timisation pour le d&eacute\;p&ocirc\;t de films de nitrure de silicium &a grave\; faibles pertes &agrave\; des temp&eacute\;ratures de 760 &deg\;C e t 820 &deg\;C par d&eacute\;p&ocirc\;t chimique en phase vapeur &agrave\; basse pression. Ils ont &eacute\;t&eacute\; caract&eacute\;ris&eacute\;s e n termes de qualit&eacute\; et de proximit&eacute\; de composition avec le nitrure de silicium st&oelig\;chiom&eacute\;trique. Les films d&eacute\;p os&eacute\;s &agrave\; 760 &deg\;C pr&eacute\;sentaient une st&oelig\;chio m&eacute\;trie plus &eacute\;lev&eacute\;e\, avec un rapport silicium/azot e de 0\,744\, par rapport au film &agrave\; 820 &deg\;C\, qui pr&eacute\;s entait un rapport de 0\,77. Nous avons constat&eacute\; que le film d&eacu te\;pos&eacute\; &agrave\; la temp&eacute\;rature la plus basse avait une surface plus lisse et pr&eacute\;sentait des pertes optiques plus faibles. Nous avons &eacute\;tudi&eacute\; l'impact de la contrainte du film sur l 'indice de r&eacute\;fraction du film et avons constat&eacute\; que le ret rait du nitrure arri&egrave\;re de la tranche apr&egrave\;s le d&eacute\;p &ocirc\;t avait un effet majeur sur les valeurs de l'indice de r&eacute\;f raction. Lors de l'utilisation de ces films pour des applications non lin& eacute\;aires et quantiques int&eacute\;gr&eacute\;es\, telles que la conv ersion de fr&eacute\;quence ou la g&eacute\;n&eacute\;ration de solitons\, la connaissance de la fa&ccedil\;on dont l'indice change avec le traiteme nt de la plaquette et de la fabrication est essentielle pour pr&eacute\;di re les g&eacute\;om&eacute\;tries correctes et les vitesses de groupe conc omitantes\, n&eacute\;cessaires &agrave\; la r&eacute\;alisation de telles technologies quantiques.&nbsp\; Les pertes mesur&eacute\;es des appareils fabriqu&eacute\;s ont montr&eacute\; que notre mat&eacute\;riau nitrure e st comparable aux principales fonderies\, voire meilleur\, en termes de qu alit&eacute\; du film et de pertes.</span></p>\n<p class="MsoNormal"><span lang="FR-CA"><img src="https://events.vtools.ieee.org/vtools_ui/media/dis play/23c706d9-eaf7-459f-9d1a-666f7b8a26eb" alt="" width="267" height="267" ></span></p>\n<p><span style="text-decoration: underline\;">About / A prop os</span></p>\n<p class="MsoNormal">The High Throughput and Secure Network s (HTSN) Challenge program is hosting regular virtual seminar series to pr omote scientific information sharing\, discussions\, and interactions betw een researchers.</p>\n<p class="MsoNormal"><a href="https://nrc.canada.ca/ en/research-development/research-collaboration/programs/high-throughput-se cure-networks-challenge-program" target="_blank" rel="noopener" data-safer edirecturl="https://www.google.com/url?q=https://nrc.canada.ca/en/research -development/research-collaboration/programs/high-throughput-secure-networ ks-challenge-program&amp\;source=gmail&amp\;ust=1714777369757000&amp\;usg= AOvVaw2978XFVhIMFshBlYbS61GG">https://nrc.canada.ca/en/<wbr>research-devel opment/research-<wbr>collaboration/programs/high-<wbr>throughput-secure-ne tworks-<wbr>challenge-program</a></p>\n<p class="MsoNormal"><span lang="FR -CA">Le programme R&eacute\;seaux S&eacute\;curis&eacute\;s &agrave\; Haut D&eacute\;bit (RSHD) organise r&eacute\;guli&egrave\;rement des s&eacute\ ;ries de s&eacute\;minaires virtuels pour promouvoir le partage d&rsquo\;i nformations scientifiques\, les discussions et les interactions entre cher cheurs.</span></p>\n<p class="MsoNormal"><a href="https://nrc.canada.ca/fr /recherche-developpement/recherche-collaboration/programmes/programme-defi -reseaux-securises-haut-debit" target="_blank" rel="noopener" data-safered irecturl="https://www.google.com/url?q=https://nrc.canada.ca/fr/recherche- developpement/recherche-collaboration/programmes/programme-defi-reseaux-se curises-haut-debit&amp\;source=gmail&amp\;ust=1714777369758000&amp\;usg=AO vVaw1jVTR0SH26o88wijXKtYGT"><span lang="FR-CA">https://nrc.canada.ca/fr/<w br>recherche-developpement/<wbr>recherche-collaboration/<wbr>programmes/pr ogramme-defi-<wbr>reseaux-securises-haut-debit</span></a></p> END:VEVENT END:VCALENDAR