微纳器件及集成微系统多场耦合仿真方法-Series simenars of IEEETianiin AP/MTT/SSC Joint Chapter (CH11041)

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集成电路特征尺寸不断缩小,器件自热效应等引起性能恶化甚至电击穿等可靠性问题,且这一趋势随着系统向三维方向发展更加显著。要精确表征器件特性并开展可靠性分析,必须充分考虑电-热等多物理场耦合过程。本次报告简要介绍团队近年来在多物理场耦合仿真方面的研究进展,以及面向下一代三维集成微系统拟开展的研究规划。



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  • Date: 28 Feb 2024
  • Time: 05:30 AM UTC to 06:30 AM UTC
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  • No. 92 Weijin Road
  • Tianjin, Tianjin
  • China
  • Building: 20
  • Room Number: 228

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  Speakers

Prof Wensheng Zhao

Topic:

微纳器件及集成微系统多场耦合仿真方法

集成电路特征尺寸不断缩小,器件自热效应等引起性能恶化甚至电击穿等可靠性问题,且这一趋势随着系统向三维方向发展更加显著。要精确表征器件特性并开展可靠性分析,必须充分考虑电-热等多物理场耦合过程。本次报告简要介绍团队近年来在多物理场耦合仿真方面的研究进展,以及面向下一代三维集成微系统拟开展的研究规划。

Biography:

赵文生,2008年哈尔滨工业大学本科毕业,2013年浙江大学博士毕业,曾于新加坡国立大学、美国佐治亚理工学院交流,现为杭州电子科技大学教授,博导。长期从事三维集成微系统、互连建模、微波无源元件设计等方面的研究,出版专著3部,发表SCI论文120余篇,获授权发明专利50余项。2022年获得国自然优秀科学青年基金资助。