PhD. Gerardo Cabañas of CINVESTAV

Conferencia plenaria

“Caracterización de Nanoestructuras Metálicas mediante Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) y Técnicas Complementarias (EDS, WDS, ESBD)”

Resumen

La microscopía electrónica de barrido (SEM) y las técnicas complementarias de Espectrometría de Rayos X (EDS, WDS) y Difracción de Electrones Retrodispersados (EBSD) son de las herramientas más usadas en la caracterización estructural, morfológica, cristalográfica y composicional de todo tipo de materiales, incluyendo aquellos cuya nanoestructura es de especial interés. Sin embargo, al aplicarse en estructuras del orden nanométrico (< 100 nm) es preciso comprender cabalmente las limitaciones impuestas por los fenómenos físicos que dan lugar a las “señales” de electrones y rayos X provenientes de la interacción del haz de electrones con el material bajo estudio. Por ejemplo, ¿qué significa que el fabricante de un SEM moderno especifique que la resolución del instrumento es de 0.5 o 1 nm? ¿Se pueden observar partículas de 1 nm de tamaño? ¿Es posible hacer análisis químico elemental de una película de espesor de 1 o 10 nm? ¿Podemos determinar la orientación cristalográfica de un grano o una partícula menores de 100 nm?

En esta exposición discutiremos los parámetros más importantes - de las técnicas y de los propios materiales – que determinan los diferentes tipos de resolución que pueden esperarse de la aplicación de SEM, EDS o WDS, y EBSD.

Biography:

Dr. José Gerardo Cabañas Moreno

Adscripción actual: Cinvestav-IPN, Depto. de Investigación y Estudios Multidisciplinarios (Junio 2013 – a la fecha)

Ingeniero Metalúrgico (Instituto Politécnico Nacional)
Maestría y Doctorado en Ciencia e Ingeniería de Materiales (Universidad Northwestern, EUA)

Profesor en el Instituto Politécnico Nacional de 1982 a 2009 en los Departamentos de Ingeniería Metalúrgica (ESIQIE) y de Ciencia de Materiales (ESFM).

Director del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN de 2009-2012. Desde 2013, Investigador en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados (Cinvestav) del IPN, actuando durante 8 años como coordinador académico del Programa de Doctorado en Nanociencias y Nanotecnología.

Ha sido profesor-investigador invitado en la Universidad Tecnológica de Toyohashi (Japón), la Universidad de París-Sur, Northwestern University, la Universidad de Sevilla y la Universidad Politécnica de Cataluña.
Su trabajo de investigación ha abarcado los temas de propiedades mecánicas y procesamiento de materiales, caracterización de materiales por microscopías electrónicas, metalurgia de polvos, producción de materiales nanoestructurados por aleado mecánico y desarrollo de materiales para el almacenamiento de hidrógeno.

Ha actuado como miembro de diversos comités evaluadores del CONACYT y de otros organismos e instituciones, entre los que se cuentan Comisiones Dictaminadores del SNI (área 7), Posgrado Nacional, y Registro CONACYT de Evaluadores Académicos.
En el período 2015-2016 fungió como presidente de la Sociedad Mexicana de Materiales.
Actualmente, Investigador Nacional SNI Nivel 3 

Email:

Address:Av Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco, Gustavo A. Madero, Ciudad de México, CDMX, , Ciudad de México, Mexico, 07360

Dr. Norberto Hernández of Laboratorio Nacional de Micro y Nanotecnologías del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN

Comencé como miembro IEEE-EDS en enero del 2007 a la par de comenzar mis estudios de maestría en el CINVESTAV-IPN. En ese entonces nuestra función principal como miembros era asistir a los seminarios y/o pláticas organizadas por el capítulo. En algunas ocasiones escuché sobre la asistencia a congresos, pero nunca asistí a ninguno. En el departamento de Ingeniería Eléctrica existe un congreso en colaboración con IEEE, pero nunca observe relación con el capítulo estudiantil. Posteriormente, del 2010 al 2011, fui presidente del capítulo estudiantil EDS de la rama estudiantil IEEE-CINVESTAV y asistí a la Reunión de Ramas en La Paz, Bolivia. Hasta este punto pude ampliar un poco más mi visión del potencial de un capítulo estudiantil, pero ya era tiempo de terminar el posgrado. Al completar mi doctorado, por ahí del 2011, deje de ser miembro IEEE por unos años. Posteriormente, en 2022 renové mi membresía y puede elevarme al grado de Senior member en febrero del 2023. Para el 2024 tuve la oportunidad de obtener financiamiento para un proyecto tipo humanitario con la EDS. Este último proyecto lo he tomado como medio para incentivar el voluntariado entre algunos miembros profesionales y miembros de capítulos estudiantiles. Adicionalmente he organizado y participado con otros miembros en diversos eventos IEEE. El objetivo de esta plática es impulsar el aprovechamiento de la membresía IEEE a través de ejemplos de actividades en las que he participado.

Biography:

En el año 2012, obtuve el grado de doctor en ciencias con especialidad en Ingeniería Eléctrica por parte del Centro de Investigación y Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional (CINVESTAV-IPN). En el desarrollo de mi tesis de doctorado, trabaje en el desarrollo de celdas solares de heterounión de silicio cristalino y silicio amorfo. Realice una estancia en la Universidad de Texas en Dallas (UTD) donde trabaje con óxidos transparentes y conductores. Del 2011 al 2013 trabaje en UTD, donde estuve a cargo de un equipo de depósito por ablación laser (PLD) y un equipo de caracterización de Efecto Hall criogénico. El trabajo en UTD se enfocó en la fabricación de transistores de película delgada, diodos, celdas solares y fotodetectores a base de compuestos II-VI. Del 2013 a la fecha estoy en el Laboratorio Nacional de Micro y Nanotecnologías del Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías del IPN trabajando en los cuartos limpios para la fabricación de dispositivos semiconductores y circuitos integrados.  A lo largo de mi carrera he desarrollado amplia experiencia en el diseño y fabricación de dispositivos semiconductores; en el uso de equipos de pulverización catódica (Sputtering), depósito químico en fase vapor asistido por plasma y de filamento caliente (PECVD y HWCVD), evaporación térmica y por haz de electrones de diversos metales; en la caracterización óptica, eléctrica y estructural de los materiales obtenidos por dichas técnicas de depósito. Soy miembro del Sistema Nacional de Investigadores nivel II, Senior Member de la IEEE, cuento con más de 35 artículos científicos publicados en revistas internacionales, tengo más 20 estudiantes graduados de licenciatura, maestría y doctorado.

Email:

Address:Av. Luis Enrique Erro s/n, Nueva Industrial Vallejo, Gustavo A. Madero, Ciudad de México, Mexico, 07700

PhD. Arturo Vera of Cinvestav

Resumen

La ingeniería biomédica en México surge a inicios de los años setenta y ha tenido una evolución importante durante los últimos años. En esta plática, hablaremos sobre el surgimiento de la ingeniería biomédica en México y la participación de la Sección de Bioelectrónica en el surgimiento de ésta. Así como también hablaremos de su evolución en el país y las nuevas líneas de investigación que son tendencia no solo en México, a nivel internacional. Finalmente, se hablará de la importancia de la innovación tecnológica en la ingeniería biomédica.

Biography:

Dr. Arturo Vera Hernández

 

Semblanza

Ingeniero Biomédico por la Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología del Instituto Politécnico Nacional. Maestro en Ciencias por el Cinvestav. Doctor en ciencias por la Escuela Nacional Superior de Electricidad y Mecánica del Instituto Nacional Politécnico de Lorena, en Nancy, Francia. Tiene patentes y registro de derechos de autor relacionados con dispositivos médicos.

Email:

Address:Av Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco, Gustavo A. Madero, Ciudad de México, CDMX, , Ciudad de México, Mexico, 07360