2do Ciclo de Seminarios 2026 IEEE EDS
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El IEEE Electron Devices Society (EDS) Cinvestav Zacatenco Student Chapter, en colaboración con el Departamento de Ingeniería Eléctrica – Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES), Cinvestav, tiene el gusto de invitarlos al segundo ciclo de seminarios del año 2026 con la conferencia titulada:
“Reflexiones sobre Elipsometría”.
Este seminario está dirigido a estudiantes, investigadores y profesionales interesados en el área de la electrónica, los semiconductores y los dispositivos de estado sólido, y forma parte de las actividades académicas del capítulo.
Date and Time
Location
Hosts
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Avenida Instituto Politécnico Nacional 2508
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Colonia San Pedro Zacatenco, Miguel Bernard La Escalera
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Mexico City, Mexico
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Mexico
07360
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Building:
Cinvestav, Biblioteca
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Room Number:
Bunker SEES
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- Starts
13 April 2026 06:00 AM UTC
- Ends
16 April 2026 01:00 AM UTC
- No Admission Charge
Speakers
Dr. Gabriel of Cinvestav SEES
Topic:
“Reflexiones sobre Elipsometría”
"REFLEXIONES SOBRE ELIPSOMETRÍA"
presentado por
Dr. Gabriel Romero-Paredes Rubio
Profesor Titular del Departamento de Ingeniería Eléctrica del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN (CINVESTAV) e Investigador Nacional del Sistema Nacional de Investigadores (SNI) Nivel 1
Resumen:
La Elipsometría es una técnica de análisis óptica que se basa en el cambio del estado de polarización de la luz que incide sobre un material al ser reflejado por la o las interfases. Dicho análisis es no destructivo y es útil para la determinación de espesores de películas delgadas, y constantes ópticas de materiales (índices de refracción).
El estado de polarización se caracteriza fundamentalmente por dos ángulos Psi y Delta, ángulos de elipsometría, que, a través de las ecuaciones de reflexión de Fresnel, nos permite determinar el índice de refracción y espesor de películas o bien de substratos.
Cuando relacionamos los parámetros ópticos, índice de refracción y espesor de una película con los ángulos de elipsometría, Psi y Delta, es posible graficar Psi vs. Delta en función del índice de refracción, variando el espesor, permitiendo así determinar el índice de refracción de la película, conociendo los valores medidos de los ángulos de elipsometría y posteriormente determinar el espesor ajustando su valor, para que los ángulos calculados igualen a los valores medidos.
Este procedimiento es relativamente sencillo y con un alto grado de certeza para espesores “grandes” y para índices de refracción de la película menores que el del substrato.
Sin embargo, la incertidumbre se incrementa conforme el espesor es “pequeño” debido al error de medición existente (10%), ya que, para valores “pequeños” del espesor, el valor del ángulo Psi, se puede ajustar para un rango más amplio del índice de refracción al tomar en cuanta el error experimental.
O bien, cuando el índice de refracción de la película es mayor que el del substrato, se pueden obtener valores del índice de refracción mayores que el del sustrato con el ajuste de los valores de los ángulos calculados con los medidos, sin embargo, también se obtiene un buen ajuste para valores de índice de refracción menores al del sustrato, incrementando la incertidumbre en el valor del Índice, aunado al hecho de que, al involucrar errores de medición (10%), se puede ajustar para un rango más amplio del índice de refracción y el espesor.
Lo que nos lleva a tomar en cuanta estos errores en la determinación del índice y espesor para espesores “pequeños” e índices de refracción mayores al del substrato.
En esta platica se presentan ambos casos, definiendo “espesores pequeños” y su limite en su determinación por elipsometría, y se aborda brevemente el caso de índices de refracción de la película mayores al del sustrato.
Biography:
Gabriel Romero Paredes Rubio es Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica por la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica del Instituto Politécnico Nacional (1976). Ese mismo año obtuvo el grado de Maestro en Ciencias en Ingeniería Eléctrica en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, dentro del Departamento de Ingeniería Eléctrica. Posteriormente, en 1984, alcanzó el grado de Doctor Ingeniero en el Instituto de Semiconductores de la Universidad Técnica de Aquisgrán (RWTH Aachen), en Renania del Norte-Westfalia, Alemania.
Su trayectoria científica se ha centrado en el estudio y desarrollo de materiales y dispositivos semiconductores. Entre sus principales líneas de investigación destacan los óxidos metálicos semiconductores obtenidos mediante pulverización catódica reactiva, el silicio poroso nanoestructurado a través de reacciones químicas catalíticas y electrólisis, así como las películas poliméricas producidas mediante depósito químico en fase vapor apoyado por plasma (PECVD). Estos materiales han sido aplicados en dispositivos como transistores de efecto de campo, sensores de gases, películas antirreflejantes y diodos emisores de luz. Para la caracterización de sus desarrollos ha empleado técnicas avanzadas como la elipsometría.
En el ámbito docente, ha impartido cursos de gran relevancia para la formación de ingenieros y científicos, entre ellos: Física de semiconductores, Elipsometría y Teoría electromagnética.
Su labor de investigación ha derivado en aportaciones tecnológicas de impacto, como la patente otorgada en 1997 junto con Salvador Alcántara Iniesta y Antonio Cerdeira Altuzarra, titulada “Sensor de presión a TMOS” (Solicitud No. PA/a/1997/003801, Título de Patente No. 245922, 23 de mayo de 1997).
Email:
Address:Distrito Federal, Mexico
Agenda
MTM_3-2026 – Programa
| Time |
Activity |
Speaker |
| 12:00 – 12:05 |
Apertura y palabras de bienvenida |
Anfitrión y moderador |
| 12:05 – 1:20 |
Reflexiones sobre Elipsometría |
Dr. Gabriel Romero-Paredes Rubio |
MTM_03-2026 is an IEEE-EDS-sponsored technical meeting. Co-sponsored by the – Section of Solid-State Electronics at the Center for Research and Advanced Studies of the National Polytechnic Institute.
