PhD. Jaime Mimila of Seccion de Electronica del Estado Solido- Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del IPN

El desarrollo de dispositivos electrónicos, en ocasiones, requiere de competencias técnicas y teóricas que no todos los laboratorios poseen. En esos casos algunas empresas recurren a los servicios de laboratorios y/o consultores especializados. En ocasiones la complejidad es tal que empresas pueden unir sus competencias para tratar de resolver un problema. Tal es el caso del transistor bipolar n-GaInP/p-GaAs(C)/n-GaAs(Si)/GaAs, que en esta plática se toma como ejemplo. Empresas europeas (Thales, UMS, IQE), cada una por su lado, encontraron dificultades para desarrollar este transistor mismo que maneja: densidades de corriente de hasta ~120 KA/cm² y frecuencias cercanas a los 20 GHz. Transistores utilizados en aplicaciones de alta frecuencia, circuitos de gran ancho de banda y potencia. Dos investigadores de compañías diferentes interesados en el desarrollo del transistor encontraron que dado la complejidad del problema era necesario un apoyo europeo y presentaron un proyecto ante la unión europea, el cual fue aprobado (~8x10⁶ Euros). En este seminario, el responsable de un segmento del proyecto presentará en detalle, cómo se estructuró: determinación de participantes, forma de operar y resultados principales que condujeron a un dispositivo que constituye hasta hoy el estado del arte. Lo anterior con el propósito de difundir otra forma de hacer investigación y desarrollo en el campo de los dispositivos semiconductores, marcadamente diferente a la practicada en México.

Biography:

El Dr. Jaime Mimila Arroyo es egresado de la Licenciatura en Física de la Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN, posteriormente realizo sus estudios de Maestría en Ciencias en la Sección de Electrónica del Estado Sólido, en Cinvestav-IPN y realizó sus estudios de Doctorado en Física del estado Solido en la Université de París VI en Francia. Es profesor titular de la sección electrónica del estado solido del departamento de ingeniería Eléctrica desde 1978 y Nivel III del Sistema Nacional de Investigadores desde 1994.

Colaboraciones y trabajo internacional

FRANCIA (4 años: 1985-86, 1992-93 1999-2000, 2005-2006) Investigador Asociado a diversos grupos de Física de Sólidos como: CNRS, Ecole Normal Supérieure, entre otros diversos grupos de investigacion e instituciones.
Colaboración con  Laboratorios del CNRS (Francia) desde 1979 hasta 2019 

TRABAJO EXPERIMENTAL EN:

Celdas solares de: Silicio, CdS, CdTe, InGaP-GaAs, AlGaAs-GaAs

Detectores de Infra-rojo: CdHgTe,

Transistores MESFET: de GaAs,

BIPOLARES de: GaInP/GaAs y Silicio,

HEMTS de AlGaN/GaN

Epitaxia de GaAs, InP, GaP, CdTe, ZnO,….

REALIZACIONES RELEVANTES:

1er Modulo solar (Si) de un Watt. V reunión COPIMERO, Bogotá Colombia 1972.

Celdas solares de CdS/Cu₂S

1ra Celda solar de CdTe por CSVT, 10 % Eficiencia 1978. Rev. de Phys. Appl. (1977)

1er modelo de transporte de masa por CSVT: J. of Electrochem. Soc. (1979)

1er DLTS en A. Latina SEES, 1983.

Método para medir velocidad de recombinación en fronteras de grano (SEES) Appl. Phys. (1984)

MESFET de GaAS por CSVT, Appl. Phys. Lett. (1987).

Explicación y solución del “Burn-In” en BJT de GaInP/GaAs Appl. Phys. Lett. (2003)

Método para determinar atrapamiento de carga por dislocaciones en n-.GaN. Materials Sc. and Engineering B (2012)

Mejora del desempeño de HEMTs AlGaN/GaN por deuteración y verificación de estabilidad , 2022.

Dos patentes en USA

PROCESS TO OBTAIN SEMI-INSULATING SINGLE CRYSTALLINE EPITAXIAL LAYESR OF ARSENIDES USEFUL TO MAKE ELECTRONIC DEVICES. N° 5,215,938, 1993 .

 METHOD FOR USING A BIPOLAR TRANSISTOR AS A SELFCALIBRATED THERMOMETER AND/OR TEMPEATURE SENSOR. N° US 7,853,424 B2, 2010.

Consultor de varias empresas europeas fabricantes de dispositivos semiconductores, contribuyendo a la solución de varios problemas de dispositivos ahora en el mercado.

Email:

Address:Av Instituto Politécnico Nacional 2508, San Pedro Zacatenco, Gustavo A. Madero, Ciudad de México, CDMX, , Ciudad de México, Mexico, 07360